Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 1,5 A 30 V, 3 Broches
About The onsemi MOSFET canal P, SOT-23 1,5 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 125 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.94mm, Longueur: 2
onsemi MOSFET canal P, SOT-23 1,5 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 125 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.94mm, Longueur: 2.92mm, MPN: FDN358P
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 1,5 A 30 V, 3 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 1,5 A 30 V, 3 Broches | |
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