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ROHM MOSFET Canal N, TO-263-7L 51 A 750 V, 7 Broches

About The ROHM MOSFET canal N, TO-263-7L 51 A 750 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: SiC, MPN: SCT4026DW7TL

ROHM MOSFET canal N, TO-263-7L 51 A 750 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: SiC, MPN: SCT4026DW7TL

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Specifications of ROHM MOSFET Canal N, TO-263-7L 51 A 750 V, 7 Broches

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RS PRO Résistance CMS 68kΩ, boitier 1206 (3216M) ±5% 0.25W

RS PRO Résistance CMS 68kΩ, boitier 1206 (3216M) ±5% 0.25W

25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±200ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C.

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    Siemens Licence SIMATIC WinCC Unified V18, Système d'exploitation compatible: Macintosh, Windows, MPN: 6AV21543DB318AA0.

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    Siemens Portail TIA SIMATIC WinCC Unified V18

    Siemens Portail TIA SIMATIC WinCC Unified V18, Système d'exploitation compatible: Macintosh, Windows, MPN: 6AV21543JR018AB0.

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    SMC Support de montage MB-B05

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    ROHM MOSFET canal N, TO-263-7L 51 A 750 V, 7 broches

    ROHM MOSFET canal N, TO-263-7L 51 A 750 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: SiC, MPN: SCT4026DW7TL.

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    EPCOS Inductance VHF, 20 μH, 3A, 54mΩ, Séries B82111B

    ) x 29mm, Matériau du corps: Ferrite, Fréquence d'auto-résonance maximale: 125MHz, MPN: B82111B0000C020.EPCOS Inductance VHF, 20 μH, 3A, 54mΩ, Séries B82111B, Type de montage: Axial, Diamètre: 6mm, Longueur: 29mm, Dimensions: 6 (Dia.

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    ROHM MOSFET canal N, TO-263-7L 51 A 750 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: SiC, MPN: SCT4026DW7TL.

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    EPCOS Inductance VHF, 20 μH, 3A, 54mΩ, Séries B82111B, Type de montage: Axial, Diamètre: 6mm, Longueur: 29mm, Dimensions: 6 (Dia.) x 29mm, Matériau du corps: Ferrite, Fréquence d'auto-résonance maximale: 125MHz, MPN: B82111B0000C020.

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