Infineon Module MOSFET Canal N, AG-EASY2B 25 A 1 200 V
About The Infineon Module MOSFET canal N, AG-EASY2B 25 A 1 200 V, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 0,045 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F445MR12W1M1B76BPSA1
Infineon Module MOSFET canal N, AG-EASY2B 25 A 1 200 V, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 0,045 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F445MR12W1M1B76BPSA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon Module MOSFET Canal N, AG-EASY2B 25 A 1 200 V
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Specifications of Infineon Module MOSFET Canal N, AG-EASY2B 25 A 1 200 V | |
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