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STMicroelectronics Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 23.3V, 41V QFN, 2 Broches, Dissip. 1400W

About The STMicroelectronics Diode TVS Unidirectionnel, claq. 23

1400W, Configuration de diode: Réseau, Type de montage: CMS, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 22V, Courant d'impulsion crête maximum: 35A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 1.6 x 1 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: ESDA25P35-1U1M STMicroelectronics Diode TVS Unidirectionnel, claq. 23.3V, 41V QFN, 2 broches, dissip.

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Specifications of STMicroelectronics Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 23.3V, 41V QFN, 2 Broches, Dissip. 1400W

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KOA Résistance CMS, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.1W

KOA Résistance CMS, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.1W

KOA Résistance CMS, boitier 0603 (1608M) ±0.

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    Hammond Enclosure,Stainless Steel 304,NEMA 3R,4,4X,12,13,Hinged Cover,6Hx4Wx4D in, MPN: 1414N4PHSSC4.

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    Entrelec RCT610 (1A100) VERT., MPN: 1SNA236001R2100.

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    STMicroelectronics AEC-Q100 Driver de MOSFET STGAP1AS 20 mA 36V, 24 broches, SOIC

    STMicroelectronics AEC-Q100 Driver de MOSFET STGAP1AS 20 mA 36V, 24 broches, SOIC, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 4,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 36 V, Type de montage: CMS, Courant de sortie crête: 20mA, Polarité: Inverseur, Non-inverseur, 2 entrées NAND, Type de pont: Demi-pont, Dépendance High and Low Sides: Variable, Dimensions: 15.35mm, Temps de descente: 25ns.6 x 7.

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    STMicroelectronics AEC-Q100 Driver de MOSFET STGAP1AS 20 mA 36V, 24 broches, SOIC

    35mm, Temps de descente: 25ns.STMicroelectronics AEC-Q100 Driver de MOSFET STGAP1AS 20 mA 36V, 24 broches, SOIC, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 4,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 36 V, Type de montage: CMS, Courant de sortie crête: 20mA, Polarité: Inverseur, Non-inverseur, 2 entrées NAND, Type de pont: Demi-pont, Dépendance High and Low Sides: Variable, Dimensions: 15.

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