Vishay MOSFET Canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 Broches
About The Vishay MOSFET canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 200 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -10 V, +10 V, Hauteur: 3.37mm, Longueur: 5mm, MPN: IRLD014PBF
Vishay MOSFET canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 200 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -10 V, +10 V, Hauteur: 3.37mm, Longueur: 5mm, MPN: IRLD014PBF
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 Broches | |
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