Vishay MOSFET canal N, Power PAK SC-70 11,3 A 100 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.6V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.75mm, Longueur: 2.15mm, MPN: SIA416DJ-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, Power PAK SC-70 11,3 A 100 V, 6 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, Power PAK SC-70 11,3 A 100 V, 6 Broches | |
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