Vishay MOSFET canal N, TSOP-6 8 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 53 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 3,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQ3460EV-T1_GE3
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Vishay MOSFET Canal N, TSOP-6 8 A 20 V, 6 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, TSOP-6 8 A 20 V, 6 Broches | |
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