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Infineon MOSFET Canal N, SuperSO8 5 X 6 Double 20 A 40 V, 8 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 double 20 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0082 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Série: OptiMOS-T2, MPN: IPG20N04S4L08AATMA1

Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 double 20 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0082 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Série: OptiMOS-T2, MPN: IPG20N04S4L08AATMA1

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Wurth Elektronik Bande de blindage 1m x 8mm x 12mm, Ruban en Fibre métallisée à couche Ni/Cu/mousse de, Matériau: Fibre métallisée à couche Ni/Cu/mousse de polyéther-uréthane, MPN: 3020812.

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    Infineon MOSFET canal N, TO-252 1,9 A 800 V, 3 broches, MPN: IPD80R3K3P7ATMA1.

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    TOA Mégaphone A main 15 W Sirène Rouge, Durée de vie de la batterie: 14h, Poids: 1.

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    Ohmite RESISTOR, CARBON FILM; 470 Kilohms; 0.25 W; 5%; 250 V; AXIAL LEADED; 22 AWG

    25 W; 5%; 250 V; AXIAL LEADED; 22 AWG, MPN: OK4745E.Ohmite RESISTOR, CARBON FILM; 470 Kilohms; 0.

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