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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, IPAK (TO-251) 6,8 A 650 V, 3 Broches

About The .Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, IPAK (TO-251) 6,8 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, IPAK (TO-251) 6,8 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS, MPN: IPS60R1K0CEAKMA1

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, IPAK (TO-251) 6,8 A 650 V, 3 Broches

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    TRACOPOWER Convertisseur DC-DC, TEL 3, Montage traversant, 3W, 1 sortie, 5V c.c., 600mA

    , Isolé: Oui, Boîtier: DIP 24, Tension d'isolement: 1.TRACOPOWER Convertisseur DC-DC, TEL 3, Montage traversant, 3W, 1 sortie, 5V c.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, IPAK (TO-251) 6,8 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS, MPN: IPS60R1K0CEAKMA1.

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    2V, 24V SOT 23, 3 broches, dissip.26. 26.2V, 24V SOT 23, 3 broches, dissip.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, IPAK (TO-251) 6,8 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS, MPN: IPS60R1K0CEAKMA1.

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