Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, TO-247 109 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,099 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4..5V, Série: CoolMOS P6, MPN: IPW60R099P6XKSA1
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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, TO-247 109 A 650 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, TO-247 109 A 650 V, 3 Broches | |
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