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Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
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Diodes Schottky et de redressements
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Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON

About The Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON, Configuration de diode: Cathode commune, Type diode: Schottky, Nombre de broche: 3, Chute minimale de tension directe: 540mV, Nombre d'éléments par circuit: 2, Temps de recouvrement inverse crête: 40ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: PMEG6010CPA

Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON, Configuration de diode: Cathode commune, Type diode: Schottky, Nombre de broche: 3, Chute minimale de tension directe: 540mV, Nombre d'éléments par circuit: 2, Temps de recouvrement inverse crête: 40ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: PMEG6010CPA

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Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON

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Specifications of Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON

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Alliance Memory SDRAM, AS4C512M8D4A-75BCN, 4Gbit, 1330MHz, FBGA 78 billes DDR4

Alliance Memory SDRAM, AS4C512M8D4A-75BCN, 4Gbit, 1330MHz, FBGA 78 billes DDR4

Alliance Memory SDRAM, 4Gbit, 1330MHz, FBGA 78 billes DDR4, Configuration: 512 M x 8, Température d'utilisation maximum: 95 °C, Température de fonctionnement minimum: 0 °C, MPN: AS4C512M8D4A-75BCN.

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    • Essentra Support CI,, LCBSBM-7-01A2-RT, Nylon, Hauteur 11.1mm

    Essentra Support CI,, LCBSBM-7-01A2-RT, Nylon, Hauteur 11.1mm

    7 x 12.8mm, Support à face adhésive: Support adhésif, Dimensions de la base de support: 12.57mm, MPN: LCBSBM-7-01A2-RT.7mm, Diamètre de trou de CI: 3.

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    Alliance Memory SDRAM, AS4C512M16D4-75BIN, 8Gbit, 1330MHz, FBGA 96 billes DDR4

    Alliance Memory SDRAM, 8Gbit, 1330MHz, FBGA 96 billes DDR4, Configuration: 512 m x 16, Température d'utilisation maximum: 95 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: AS4C512M16D4-75BIN.

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    Alliance Memory SDRAM, AS4C512M16D4-75BCN, 8Gbit, 1330MHz, FBGA 96 billes DDR4

    Alliance Memory SDRAM, 8Gbit, 1330MHz, FBGA 96 billes DDR4, MPN: AS4C512M16D4-75BCN.

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    Alliance Memory SDRAM, AS4C256M16D4A-62BIN, 4Gbit, 1600MHz, FBGA 96 billes DDR4

    Alliance Memory SDRAM, 4Gbit, 1600MHz, FBGA 96 billes DDR4, Configuration: 256 m x 16, Température d'utilisation maximum: 95 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: AS4C256M16D4A-62BIN.

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    Alliance Memory SDRAM, AS4C256M16D4-83BIN, 4Gbit, 1200MHz, FBGA 96 billes DDR4

    Alliance Memory SDRAM, 4Gbit, 1200MHz, FBGA 96 billes DDR4, Configuration: 256 m x 16, Largeur de bus de données: 16bit, Température d'utilisation maximum: 95 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: AS4C256M16D4-83BIN.

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    • Legris Régulateur de débit 7 770, 6mm

    Legris Régulateur de débit 7 770, 6mm

    Legris Régulateur de débit 7 770, 6mm, Type: Contrôle du débit, Type d'orifice d'entrée: Tube, Pression de sortie minimum: 1bar, Pression de sortie maximum: 10bar, MPN: 7770 06 00.

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  • Raccords pneumatiques & Raccords et flexible
  • Raccords pneumatiques de fonction
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    Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON

    Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON, Configuration de diode: Cathode commune, Type diode: Schottky, Nombre de broche: 3, Chute minimale de tension directe: 540mV, Nombre d'éléments par circuit: 2, Temps de recouvrement inverse crête: 40ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: PMEG6010CPA.

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    • Legris Régulateur de débit 7 770, 6mm

    Legris Régulateur de débit 7 770, 6mm

    Legris Régulateur de débit 7 770, 6mm, Type: Contrôle du débit, Type d'orifice d'entrée: Tube, Pression de sortie minimum: 1bar, Pression de sortie maximum: 10bar, MPN: 7770 06 00.

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    Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON

    Nexperia Diode CMS, 1A, 60V, HUSON, Configuration de diode: Cathode commune, Type diode: Schottky, Nombre de broche: 3, Chute minimale de tension directe: 540mV, Nombre d'éléments par circuit: 2, Temps de recouvrement inverse crête: 40ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: PMEG6010CPA.

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