Vishay MOSFET Canal N/P, SOIC 8 A 40 V, 8 Broches
About The Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 8 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 3,2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI4554DY-T1-GE3
Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 8 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 3,2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI4554DY-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N/P, SOIC 8 A 40 V, 8 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N/P, SOIC 8 A 40 V, 8 Broches | |
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