Toshiba MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 8 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: TK8S06K3L
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Toshiba MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 8 A 60 V, 3 Broches
Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 8 A 60 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |