Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,3 A, 6 A 30 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, 140 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,78 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.5mm, MPN: SI4532CDY-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N/P, SOIC 4,3 A, 6 A 30 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N/P, SOIC 4,3 A, 6 A 30 V, 8 Broches | |
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