STMicroelectronics MOSFET canal N, HiP247 45 A 1200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 270 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -10 V, +25 V, Tension directe de la diode: 3.5V, Hauteur: 20.15mm, Longueur: 15.75mm, MPN: SCT30N120
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STMicroelectronics MOSFET Canal N, HiP247 45 A 1200 V, 3 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, HiP247 45 A 1200 V, 3 Broches | |
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