Toshiba MOSFET Canal N, A-220 55 A 80 V, 3 Broches
About The 1mm, Longueur: 10.Toshiba MOSFET canal N, A-220 55 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 12,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 72 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15
Toshiba MOSFET canal N, A-220 55 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 12,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 72 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15.1mm, Longueur: 10.16mm, MPN: TK35E08N1
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Toshiba MOSFET Canal N, A-220 55 A 80 V, 3 Broches
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Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, A-220 55 A 80 V, 3 Broches | |
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