IXYS MOSFET Canal N, A-220 8 A 650 V, 3 Broches

ROHM Résistance CMS 10MΩ, boitier 1225 (3264M) ±1% 4W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: LTR100LJZPFSR015.

2m, Type de connecteur: Prise banane, Courant: 10A, Tension de catégorie de sécurité: 600V, Température d'utilisation maximum: +90°C, Gamme de température de fonctionnement: Maximum +90 °C, MPN: 110011.Mueller Electric Cordon de test 1.

DeWALT Niveau Laser laser Rouge précision ±0.3mm/m, pour Intérieur, auto-nivelant, Niveau d'alignement: Oui, Classe laser: Classe 2, Source d'alimentation: Batterie, Etalonné: Etalonné RS, Dimensions: 135 x 80 x 145mm, Longueur: 135mm, Numéro de modèle (p): DW089K-XJ, Largeur: 80mm.

Legrand PLASTRON METAL DPX 250 / 630, MPN: 0 203 20.

Legrand PLASTRON MODULAIRE GAC H200, MPN: 0 203 04.

Amphenol connector,metal circ,rt angle plug,size 18,for 4#16 crimp pin cont,clear finish, MPN: 97-4108B-18-4P.

IXYS MOSFET canal N, A-220 8 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.

IXYS MOSFET canal N, A-247 34 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.7V, Dissipation de puissance maximum: 540 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXFH34N65X2.

IXYS MOSFET canal N, A-220 8 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTP8N65X2.

4V, MPN: IXFH34N65X2.7V, Dissipation de puissance maximum: 540 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.