Infineon MOSFET Canal N, A-220 50 A 150 V, 3 Broches

Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 87 A 30 V, 3 broches, MPN: IRF3709ZSTRRPBF.

2 x 2., ±5%, diélectrique : C0G, NP0, Boîtier: 1210 (3225M), Type de montage: Montage en surface, Dimensions: 3.5mm, Série: Flexicap, Température d'utilisation maximum: +125°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: 1210Y1000102JCT.5 x 2mm, Longueur: 3.

25.25.c.4mm, 24V c.

Infineon MOSFET canal N, I2PAK (TO-262) 110 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0065 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: HEXFET, MPN: IRF3205ZLPBF.

6mm, L 10m Vert, Capacité du tuyau: Refoulement, Aspiration, Pression de service maximale: 3.7 bar, Type d'application: Agriculture, Température d'utilisation minimum: -15°C, Température d'utilisation maximum: +65°C, Rayon de Courbure: 342mm, Renforcé: Oui.

5V POWERMITE, 2 broches, dissip.

Infineon MOSFET canal N, A-220 50 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,02 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS 3, MPN: IPP200N15N3GXKSA1.

Wurth Elektronik Bornier pour CI 4 contacts 1 rangée(s) pas de 10.3mm, Longueur: 40.

Infineon MOSFET canal N, A-220 50 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,02 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS 3, MPN: IPP200N15N3GXKSA1.

a., Profondeur: 29.16mm série 2566, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Courant: 40A, Orientation du corps: Horizontal, Couleur: Gris, Tension: 1,6 kV c.Wurth Elektronik Bornier pour CI 4 contacts 1 rangée(s) pas de 10.