DiodesZetex MOSFET canal N, SOIC 11,9 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 28 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: DMT6016LSS-13
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DiodesZetex MOSFET Canal N, SOIC 11,9 A 60 V, 8 Broches
Specifications of DiodesZetex MOSFET Canal N, SOIC 11,9 A 60 V, 8 Broches | |
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