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Vishay Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 53.3V, 77.4V P600, 2 Broches, Dissip. 5000W

About The 3V, 77. 5000W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 48V, Courant d'impulsion crête maximum: 64

Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq. 5000W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 48V, Courant d'impulsion crête maximum: 64.6A, Nombre d'éléments par circuit: 1, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 9.1 x 9.1 x 9.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: 5KP48A-E3 53.3V, 77.4V P600, 2 broches, dissip.

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Specifications of Vishay Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 53.3V, 77.4V P600, 2 Broches, Dissip. 5000W

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RS PRO Serre-câble 450mm x 8 mm Noir en Nylon 66
  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Câbles & cordons et fils
  • Serre-câbles et Embases
  • Serre-câbles
  • RS PRO
    • Wurth Elektronik Filtre de signaux, 5150 → 5875MHz

    Wurth Elektronik Filtre de signaux, 5150 → 5875MHz

    25mm, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +85°C, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: 748121055.

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  • Filtres de signal
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    • Phoenix Contact Bornier pour CI 2 contacts 1 rangée(s) pas de 5.08mm série MKDSN 1.5/ 2-5.08

    Phoenix Contact Bornier pour CI 2 contacts 1 rangée(s) pas de 5.08mm série MKDSN 1.5/ 2-5.08

    5mm, Longueur: 8.08, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Type: Bloc de jonction pour CI, Courant: 13.1mm, Matériau: Nylon, Largeur: 10.

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  • Borniers pour circuits imprimés
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    • Toshiba MOSFET canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches

    Toshiba MOSFET canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches

    Toshiba MOSFET canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 67 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK40E06N1.

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    • Toshiba MOSFET canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches

    Toshiba MOSFET canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches

    Toshiba MOSFET canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 67 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.

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