onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N, DPAK (TO-252) 110 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 3,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 66 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: NTD5C446NT4G
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Onsemi MOSFET ON Semiconductor Canal N, DPAK (TO-252) 110 A 40 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET ON Semiconductor Canal N, DPAK (TO-252) 110 A 40 V, 3 Broches | |
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