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DiodesZetex MOSFET Canal P, PowerDI5060-8 11 A 40 V, 8 Broches

About The 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMP4015SPS-13.5V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 5

DiodesZetex MOSFET canal P, PowerDI5060-8 11 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMP4015SPS-13

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DiodesZetex MOSFET Canal P, PowerDI5060-8 11 A 40 V, 8 Broches

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Specifications of DiodesZetex MOSFET Canal P, PowerDI5060-8 11 A 40 V, 8 Broches

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Baumer Indicateur numérique multifonction, PA418, LED
  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Automatisme et Contrôle de process
  • Contrôles de Process
  • Indicateurs numériques multifonctions
  • Baumer
    • Abracon Quartz CMS 10MHz Montage en surface 18pF
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    • Laird External Antennas Antenne multibande VPJ69595B-92VC1 Montage sur panneau Carré, Externe SMA mâle 5dBi WiFi VPJ

    Laird External Antennas Antenne multibande VPJ69595B-92VC1 Montage sur panneau Carré, Externe SMA mâle 5dBi WiFi VPJ

    Laird External Antennas Antenne multibande VPJ69595B-92VC1 Montage sur panneau Carré, Externe SMA mâle 5dBi WiFi VPJ, Plage de fréquence: 698 → 2 700 MHz, 2 400 → 5900 MHz, Longueur de câble: 914mm.

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    • DiodesZetex MOSFET canal P, X2-DFN1006 1,17 A 20 V, 3 broches

    DiodesZetex MOSFET canal P, X2-DFN1006 1,17 A 20 V, 3 broches

    05mm, MPN: DMP21D0UFB4-7B.DiodesZetex MOSFET canal P, X2-DFN1006 1,17 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 960 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.35mm, Longueur: 1.

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    DiodesZetex MOSFET canal P, X2-DFN1006 1,17 A 20 V, 3 broches

    DiodesZetex MOSFET canal P, X2-DFN1006 1,17 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 960 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.05mm, MPN: DMP21D0UFB4-7B.35mm, Longueur: 1.

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