Infineon MOSFET Canal N, TO-252 50 A 60 V, 3 Broches

Name: Infineon MOSFET Canal N, TO-252 50 A 60 V, 3 Broches! Infineon
Brand: Infineon
SKU: CAXB-764256
Price: 1368.00 EUR
Availability: InStock

About The Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0078 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: OptiMOS, MPN: IPD50N06S4L08ATMA2

Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0078 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: OptiMOS, MPN: IPD50N06S4L08ATMA2

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TO-252 50 A 60 V, 3 Broches
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Last Updated December 3rd, 2023 02:54 pm

Infineon MOSFET Canal N, TO-252 50 A 60 V, 3 Broches

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RS PRO Raccord instantané vers Enfichable 4 mm Enfichable 4 mm

RS PRO Raccord instantané vers Enfichable 4 mm Enfichable 4 mm, Type de connexion: Filetage à tube, Filetage: M12 x 1, Pression de fonctionnement maximum: 20 bars, Température de fonctionnement maximum: +200°C, Température de fonctionnement minimum: -15°C, Connexion du tube - Type: Push-in, Connexion du tube A - Taille de tube: 4mm.

Mécanique & Fluides et Outillage

Pneumatiques et Hydrauliques

Raccords pneumatiques & Raccords et flexible

Raccords pneumatiques

RS PRO

Huber+Suhner Connecteur RF BNC Mâle vers BNC Femelle, T, 50Ω 4GHz

22mm, Finition du corps: Bronze blanc, Matériau du contact: Cuivre Béryllium, MPN: 45_BNC-50-0-2/133_NE.Huber+Suhner Connecteur RF BNC Mâle vers BNC Femelle, T, 50Ω 4GHz, Polarité: Normal, Placage du contact: Or sur nickel, Longueur: 38.

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs

Connecteurs

Connecteurs et adaptateurs coaxiaux RF

Adaptateurs coaxiaux

Huber+Suhner

Infineon MOSFET canal N, TO-252 30 A 55 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N, TO-252 30 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0147 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: OptiMOS, MPN: IPD30N06S215ATMA2.

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