Vishay Diode CMS, 1A, 200V, DO-219AB, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Diode épitaxiale à récupération rapide, Chute minimale de tension directe: 930mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 23ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 35A, MPN: VS-1EFH02-M3/I
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Vishay Diode CMS, 1A, 200V, DO-219AB
Specifications of Vishay Diode CMS, 1A, 200V, DO-219AB | |
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