STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 2,2 A 1000 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 2.4mm, Longueur: 6.6mm, MPN: STD4NK100Z
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STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 2,2 A 1000 V, 3 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 2,2 A 1000 V, 3 Broches | |
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