Nexperia MOSFET canal N, SOT-23 330 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 1,67 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: BSN20BKR
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Nexperia MOSFET Canal N, SOT-23 330 MA 60 V, 3 Broches
Specifications of Nexperia MOSFET Canal N, SOT-23 330 MA 60 V, 3 Broches | |
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