Toshiba MOSFET canal N, TO-3PN 10 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 20mm, Longueur: 15.5mm, MPN: TK10J80E
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Toshiba MOSFET Canal N, TO-3PN 10 A 800 V, 3 Broches
Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, TO-3PN 10 A 800 V, 3 Broches | |
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