IXYS MOSFET canal N, SMPD 550 A 55 V, 24 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Dissipation de puissance maximum: 830 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 5.7mm, MPN: MMIX1T550N055T2
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IXYS MOSFET Canal N, SMPD 550 A 55 V, 24 Broches
Specifications of IXYS MOSFET Canal N, SMPD 550 A 55 V, 24 Broches | |
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