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STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 290 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, MPN: STB18N60DM2

STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 290 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, MPN: STB18N60DM2

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 Broches

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