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Toshiba Optocoupleur Montage En Surface 4 Voies, Sortie Transistor

About The Toshiba Optocoupleur Montage en surface 4 voies, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Nombre de broches: 16, Type de boîtier: SO16, MPN: TLP291-4(TP,E(T

Toshiba Optocoupleur Montage en surface 4 voies, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Nombre de broches: 16, Type de boîtier: SO16, MPN: TLP291-4(TP,E(T

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Toshiba Optocoupleur Montage En Surface 4 Voies, Sortie Transistor

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Specifications of Toshiba Optocoupleur Montage En Surface 4 Voies, Sortie Transistor

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Infineon Capteur à effet Hall Traversant SSO, 3 broches

Infineon Capteur à effet Hall Traversant SSO, 3 broches

Infineon Capteur à effet Hall Traversant SSO, 3 broches, MPN: TLE4929CXHAM38NHAMA1.

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    Infineon Capteur à effet Hall Traversant SSO, 3 broches, Type magnétique: Omnipolaire, MPN: TLE4929CXHAM38NHAMA1.

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    5V, Série: CoolMOS, MPN: IPP65R190CFD7XKSA1.Infineon MOSFET canal N, A-220 12 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,19 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

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    5V, Série: CoolMOS, MPN: IPP65R110CFD7XKSA1.Infineon MOSFET canal N, A-220 22 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,11 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

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    Taiwan Semiconductor Diode CMS, 1A, 100V, DO-214AC (SMA)

    Taiwan Semiconductor Diode CMS, 1A, 100V, DO-214AC (SMA), Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 950mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 35ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 30A, MPN: ES1BL R3.

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    4V, Nombre de broches: 16, Type de boîtier: SO16, MPN: TLP291-4(TP,E(T.Toshiba Optocoupleur Montage en surface 4 voies, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.

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    Taiwan Semiconductor Diode CMS, 1A, 100V, DO-214AC (SMA), Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 950mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 35ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 30A, MPN: ES1BL R3.

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