Infineon MOSFET canal N/P, SOIC 5,3 A, 7,3 A 30 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 46 mΩ, 98 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.5mm, MPN: IRF7389TRPBF
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Infineon MOSFET Canal N/P, SOIC 5,3 A, 7,3 A 30 V, 8 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N/P, SOIC 5,3 A, 7,3 A 30 V, 8 Broches | |
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