IXYS MOSFET Canal N, A-220 75 A 100 V, 3 Broches
About The IXYS MOSFET canal N, A-220 75 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 25 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXTP75N10P
IXYS MOSFET canal N, A-220 75 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 25 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXTP75N10P
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
IXYS MOSFET Canal N, A-220 75 A 100 V, 3 Broches
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Specifications of IXYS MOSFET Canal N, A-220 75 A 100 V, 3 Broches | |
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