onsemi IGBT,, 80 A, 1200 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 298 W, Type de montage: CMS, Vitesse de découpage: 1MHz, Longueur: 10.67mm, Largeur: 11.33mm, Hauteur: 4.83mm, Dimensions: 10.67 x 11.33 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: HGT1S10N120BNST
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > IGBT
Onsemi IGBT, HGT1S10N120BNST,, 80 A, 1200 V, D2PAK (TO-263), 3 Broches, Simple
Specifications of Onsemi IGBT, HGT1S10N120BNST,, 80 A, 1200 V, D2PAK (TO-263), 3 Broches, Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |