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Crouzet Electrodistributeur Pneumatique Serie 81 Fonction 4/2, Assistée/Assistée

About The 5bar, Pression de fonctionnement maximum: 8bar, Température de fonctionnement maximum: +50°C, Température de fonctionnement minimum: -10°C, MPN: 81 516 200.

Crouzet Electrodistributeur pneumatique serie 81 fonction 4/2, Assistée/Assistée, Gamme de débit maximum: 400NL/min, Pression de fonctionnement minimum: 3.5bar, Pression de fonctionnement maximum: 8bar, Température de fonctionnement maximum: +50°C, Température de fonctionnement minimum: -10°C, MPN: 81 516 200

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Crouzet Electrodistributeur Pneumatique Serie 81 Fonction 4/2, Assistée/Assistée

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Specifications of Crouzet Electrodistributeur Pneumatique Serie 81 Fonction 4/2, Assistée/Assistée

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Sick Capteur de proximité,, M12 x 1, 10→30 V c.c., PNP, 4 mm, Technologie de détection: Inductif, Type de corps: Barillet, Type de terminaison: Connecteur à 4 broches M12, Indice IP: IP68, IP69K, Protocole de communication: IO-LINK, Longueur: 65mm, Tension V c.c.

Sick Capteur de proximité,, M12 x 1, 10→30 V c.c., PNP, 4 mm, Technologie de détection: Inductif, Type de corps: Barillet, Type de terminaison: Connecteur à 4 broches M12, Indice IP: IP68, IP69K, Protocole de communication: IO-LINK, Longueur: 65mm, Tension V c.c.

maximum: 30V, Type de montage: Encastré, Courant de commutation: 200 mA, Matériau du boîtier: Acier inoxydable, Température d'utilisation maximum: +100°C, MPN: IMB12-04BPPVC0S Sick Capteur de proximité,, M12 x 1, 10→30 V c.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
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    • Sick Capteur de proximité,, M18 x 1, 10→30 V c.c., PNP, 12 mm, Technologie de détection: Inductif, Type de corps: Barillet, Type de terminaison: Connecteur à 4 broches M12, Indice IP: IP68, IP69K, Protocole de communication: IO-LINK, Longueur: 65mm, Tension V c.c.

    Sick Capteur de proximité,, M18 x 1, 10→30 V c.c., PNP, 12 mm, Technologie de détection: Inductif, Type de corps: Barillet, Type de terminaison: Connecteur à 4 broches M12, Indice IP: IP68, IP69K, Protocole de communication: IO-LINK, Longueur: 65mm, Tension V c.c.

    , PNP, 12 mm.maximum: 30V, Type de montage: Non noyable, Courant de commutation: 200 mA, Matériau du boîtier: Acier inoxydable, Température d'utilisation maximum: +100°C, MPN: IMB18-12NPPVC0S Sick Capteur de proximité,, M18 x 1, 10→30 V c.c.

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    • Sick Capteur de proximité,, M30 x 1,5, 10→30 V c.c., PNP, 15 mm, Technologie de détection: Inductif, Type de corps: Barillet, Type de terminaison: Connecteur à 4 broches M12, Indice IP: IP68, IP69K, Protocole de communication: IO-LINK, Longueur: 70.2mm, Tension V c.c.

    Sick Capteur de proximité,, M30 x 1,5, 10→30 V c.c., PNP, 15 mm, Technologie de détection: Inductif, Type de corps: Barillet, Type de terminaison: Connecteur à 4 broches M12, Indice IP: IP68, IP69K, Protocole de communication: IO-LINK, Longueur: 70.2mm, Tension V c.c.

    maximum: 30V, Type de montage: Encastré, Courant de commutation: 200 mA, Matériau du boîtier: Acier inoxydable, Température d'utilisation maximum: +100°C, MPN: IMB30-15BPPVC0S Sick Capteur de proximité,, M30 x 1,5, 10→30 V c., PNP, 15 mm.c.

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    • STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 HV 5,5 A 600 V, 8 broches

    STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 HV 5,5 A 600 V, 8 broches

    75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 HV 5,5 A 600 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 660 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
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    • STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 HV 5,5 A 600 V, 8 broches

    STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 HV 5,5 A 600 V, 8 broches

    75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 48 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STL10N60M6.STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 HV 5,5 A 600 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 660 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

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