onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 160 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 2.39mm, Longueur: 6.73mm, MPN: FDD8870
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Onsemi MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 160 A 30 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 160 A 30 V, 3 Broches | |
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