Infineon MOSFET Canal N, TSDSON 40 A 30 V, 8 Broches

6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SA10A-E3/54.

57 x 3. 600W 600W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 102V, Courant d'impulsion crête maximum: 3.6A, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Dimensions: 4.24mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: P6SMB120A-E3/5B.

≤ 500 mW MicroSMF (DO-219AC), MPN: PLZ3V6A-HG3_A/H Vishay Diode Zener, 3.

de l'arbre 9mm, Type de moteur V c.

47V,, dissip.≤ 500 mW MicroSMF (DO-219AC), MPN: PLZ39A-HG3_A/H Vishay Diode Zener, 36. ≤ 500 mW MicroSMF (DO-219AC).

a.

Infineon MOSFET canal N, TSDSON 40 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 37 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.

5V DO-214AB (SMC), 2 broches, dissip.25 x 2. 1500W 1500W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 15V, Courant d'impulsion crête maximum: 308A, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 7.

4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSZ0904NSIATMA1.2V, Dissipation de puissance maximum: 37 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.Infineon MOSFET canal N, TSDSON 40 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.

16.