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STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 17 A 650 V, 3 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 17 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB24NM60N

STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 17 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB24NM60N

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 17 A 650 V, 3 Broches

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