Vishay MOSFET Canal N, SC-75 5,1 A 20 V, 6 Broches
About The Vishay MOSFET canal N, SC-75 5,1 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 63 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIB406EDK-T1-GE3
Vishay MOSFET canal N, SC-75 5,1 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 63 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 10 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIB406EDK-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N, SC-75 5,1 A 20 V, 6 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SC-75 5,1 A 20 V, 6 Broches | |
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