Vishay MOSFET canal N, SC-75 200 mA 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 280 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -6 V, +6 V, Longueur: 1.68mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI1032R-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N, SC-75 200 MA 20 V, 3 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SC-75 200 MA 20 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |