Toshiba MOSFET Canal P, SOP 10 A 30 V, 8 Broches
About The Toshiba MOSFET canal P, SOP 10 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 1,9 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +20 V, Hauteur: 1.52mm, Longueur: 4
Toshiba MOSFET canal P, SOP 10 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 1,9 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +20 V, Hauteur: 1.52mm, Longueur: 4.9mm, MPN: TPC8125
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Toshiba MOSFET Canal P, SOP 10 A 30 V, 8 Broches
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