IXYS MOSFET canal N, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 330 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
IXYS MOSFET Canal N, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 Broches
Specifications of IXYS MOSFET Canal N, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 Broches | |
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