Onsemi Diode Traversante, 3A, 100V, DO-201AD

e2s Rouge, blanc série A105N, 24 → 260 V IP66, Décibels à 1 mètre: ±3dB, Type de courant: V c.

Brady Ruban encreur pour BBP11, BBP12, Couleur d'arrière plan: Noir, Laminé: Non, Longueur d'étiquette: 70mm, Largeur d'étiquette: 65mm, Dimensions d'étiquette: 70 x 65mm, Quantité d'étiquettes: 1 Roll, MPN: 804467.

c., Effet lumineux: Flash, feu à éclats, Décibels à 1 mètre: 113dB, Indice IP: IP66, MPN: AL105NXDC024AA0A1R/B.

e2s Combiné balise/sirène série AL112NX, lentille Rouge au Xénon, 24 V, Montage: Montage mural, Type de courant: V c., Effet lumineux: Flash, feu à éclats, Décibels à 1 mètre: 120dB, Indice IP: IP66, MPN: AL112NXDC024AA0A1R/R.c.

Nexperia Diode CMS, 250mA, 110V, SOT-23 (TO-236AB), Configuration de diode: Anode commune, Type de redressement: Usage général, Type diode: Diode de commutation rapide, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 10A, MPN: BAS35,215.

5mm, MPN: ASPIAIG-S6055-101M-T.

Microchip Driver de MOSFET MCP14A0301-E/MS 3000 mA 4.5 to 18V, 8 broches, MSOP.

onsemi Diode traversante, 3A, 100V, DO-201AD, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Diamètre: 5.3mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 200A, MPN: 1N5401G.

5 to 18V, 8 broches, MSOP.Microchip Driver de MOSFET MCP14A0301-E/MS 3000 mA 4.

onsemi Diode traversante, 3A, 100V, DO-201AD, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Diamètre: 5.3mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 200A, MPN: 1N5401G.