Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 6A, 200V, R 6
About The Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 200V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 950mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A20G R0
Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 200V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 950mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A20G R0
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements
Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 6A, 200V, R 6
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Specifications of Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 6A, 200V, R 6 | |
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