Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 double 20 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0116 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPG, MPN: IPG20N04S4L11AATMA1
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Infineon MOSFET Canal N, SuperSO8 5 X 6 Double 20 A 40 V, 8 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, SuperSO8 5 X 6 Double 20 A 40 V, 8 Broches | |
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