Infineon MOSFET Canal N, SuperSO8 5 X 6 50 A 40 V, 8 Broches

SAM Jeu de clés mixtes à cliquet Non 11 pièces en Acier chrome vanadium, Type de kit: Jeu de clés combinées à cliquet, Dimensions dans le set: 8 → 19 mm, MPN: 50-C-J11.

ABB Barre Omnibus, MPN: 190176.

ABB Borne d'Alimentation, pour Barre omnibus, MPN: 190168.

0625W, Technologie: Film couche mince, MPN: RT0402BRD07330RL.

ABB Interrupteur à bascule, Indice de protection: IP66, Illuminé: Non, Type d'actionneur: A bascule, MPN: HW052255.

Infineon MOSFET canal P, A-220 120 A 40 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0034 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPP, MPN: IPP120P04P4L03AKSA2.

Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0058 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPC, MPN: IPC50N04S55R8ATMA1.

Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0058 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPC, MPN: IPC50N04S55R8ATMA1.

Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0058 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPC, MPN: IPC50N04S55R8ATMA1.

4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPC, MPN: IPC50N04S55R8ATMA1.Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0058 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.