Onsemi MOSFET Canal N, LFPAK, SOT-669 252 A 40 V, 4 Broches
About The 5V, Dissipation de puissance maximum: 134 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMYS1D3N04CTWG.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2
onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 252 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 134 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMYS1D3N04CTWG
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Onsemi MOSFET Canal N, LFPAK, SOT-669 252 A 40 V, 4 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, LFPAK, SOT-669 252 A 40 V, 4 Broches | |
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