Infineon MOSFET Canal N, SOT-223 4,8 A 550 V, 3 Broches

8mm, Hauteur: 1.

Infineon MOSFET canal P, SOIC 8 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 32 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRF9362TRPBF.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.

Wago Group Marker Carrier série 209 à utiliser avec Terminal Blocks, MPN: 209-145.

VELCRO® Ruban auto-agrippant VEL-OW64126, 16mm x 25m, Blanc, Type de crochet: Crochets et Boucles, Série: One-Wrap.

6 V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: MIC2789-XYMT TR.5mm, Tension surveillée Maximum: 5.

7V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.

5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPN50R1K4CEATMA1.Infineon MOSFET canal N, SOT-223 4,8 A 550 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.

5%.c.5%, Capacité: 50µF, Type de montage: Traversant, MPN: 890724429005CS Wurth Elektronik Condensateur à couche mince WCAP-FTDB 50μF 900V c.

7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPN50R1K4CEATMA1.Infineon MOSFET canal N, SOT-223 4,8 A 550 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 6.

5%, Capacité: 50µF, Type de montage: Traversant, MPN: 890724429005CS Wurth Elektronik Condensateur à couche mince WCAP-FTDB 50μF 900V c.c. 5%.