Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 33 A 250 V, 3 Broches
About The onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 33 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 94 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 235 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 4.
onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 33 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 94 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 235 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 4.83mm, Longueur: 10.67mm, MPN: FDB33N25TM
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Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 33 A 250 V, 3 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 33 A 250 V, 3 Broches | |
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