Taiwan Semiconductor Diode à Faibles Signaux, 200mA, DO-35, 2 Broches
About The 25V, Capacitance de diode maximum: 5pF, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Longueur: 5.) x 5
Taiwan Semiconductor Diode à faibles signaux, 200mA, DO-35, 2 broches, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Capacitance de diode maximum: 5pF, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Longueur: 5.08mm, Dimensions: 2.28 (Dia.) x 5.08mm, Diamètre: 2.28mm, MPN: BAV21
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes de commutation
Taiwan Semiconductor Diode à Faibles Signaux, 200mA, DO-35, 2 Broches
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Specifications of Taiwan Semiconductor Diode à Faibles Signaux, 200mA, DO-35, 2 Broches | |
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