Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 Broches
About The 67mm, MPN: SIHB12N60E-GE3.83mm, Longueur: 10
Vishay MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 147 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 4.83mm, Longueur: 10.67mm, MPN: SIHB12N60E-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 Broches | |
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